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吴汉明，1952年6月出生江苏省常州市东区（1952年，称东区。1956年，东区改称天宁区。），初中还没念完就遇到文革下乡种地。
1976年，吴汉明从中国科学技术大学毕业。1978年，成为“文革”后第一批硕士研究生。1987年，从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位。
博士毕业后，吴汉明先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。
1993年，吴汉明归国后在中国科学院力学研究所工作。1994年，被破格提升为研究员。1995年，到美国阿拉巴马一家公司工作，两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年，吴汉明加盟英特尔，成为主任工程师。2001年，进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监。
2010年，吴汉明被选为中国国际半导体技术年会（CSTIC 2010）大会主席。2019年11月22日，当选为中国工程院院士。
2020年11月，吴汉明受聘为湖北大学微电子学院名誉院长。2023年3月，受聘为浙江大学绍兴研究院战略咨询委员会委员。2024年1月，任浙江大学集成电路学院院长。
吴汉明院士是我国著名的微电子工艺技术专家，长期从事先进芯片大生产关键技术、特殊soc芯片设计技术、大生产芯片的可靠性研究等集成电路领域相关工作。
下面就简单地介绍一下吴汉明院士在上述领域所取得的研究成果。
吴汉明院士在我国芯片大生产关键技术方面所取得的研究成果
众所周知，等离子体刻蚀是芯片制造的关键工艺，吴汉明院士率领团队研发的高密度等离子体刻蚀技术，使等离子体密度达到深亚微米刻蚀要求，这对于制造更小尺寸的芯片至关重要。
该技术提高了刻蚀的精度和效率，能够实现更复杂的芯片结构，为我国芯片制造技术向更高水平发展奠定了基础。
此外，在中芯国际工作期间，吴汉明院士领导的团队实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为我国首次实现铜互连提供了工艺基础。
铜互连技术相比传统的铝互连技术，具有更低的电阻和更好的电性能，能够有效提高芯片的运行速度和降低功耗。
这一成果打破了国外在该领域的技术垄断，推动了我国芯片制造工艺的进步。
吴汉明院士还担任多个国家重大专项的负责人，如国家十一五02重大专项“65-45-32纳米CMOS产品成套工艺和产业化项目”、国家十二五重大专项“32/28纳米CMOS成套产品工艺和产业化项目”等。
通过这些项目的实施，他带领团队攻克了一系列芯片制造中的关键技术难题，实现了我国在特定纳米尺度下芯片制造工艺的突破，提升了我国在全球芯片制造领域的竞争力。
尤其值得一提的是，吴汉明院士团队的研究成果并未停留在实验室阶段，他们还积极推动这些成果的产业化应用。
他们的成果使我国在芯片制造领域能够实现量产特定纳米尺度的芯片产品，满足了国内市场对高端芯片的需求，减少了对进口芯片的依赖，对于我国集成电路产业的发展和国家安全具有重要意义。
吴汉明院士主持研发我国超大规模集成电路65-40纳米成套产品所取得的研究成果
众所周知，光刻是芯片制造的关键工艺，吴汉明院士团队在65-40纳米尺度上进行精密图形光刻，提高了光刻的精度和分辨率，能将更小的晶体管结构转移到晶圆上，为制造高性能芯片提供可能。
此外，吴汉明院士团队研发的高密度等离子体刻蚀技术，其等离子体密度达可以到深亚微米刻蚀要求，为65-40纳米工艺中的刻蚀环节提供了技术支持，实现了对芯片复杂结构的精确刻蚀。
他们通过优化工艺流程、提高设备利用率和生产效率等措施，实现了65-40纳米超大规模集成电路的大规模生产，满足了市场对高端芯片的需求。
在研发65-40纳米成套产品过程中，吴汉明院士率领团队促进芯片设计、制造、封装测试等环节的协同创新，加强了产业链上下游企业的合作，推动了我国集成电路产业的整体发展。
他们创建了设计IP核技术公共平台，为芯片设计企业提供了共享的知识产权和设计资源，降低了设计成本，提高了设计效率，支持了芯片制造产业链的协同发展。 |
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