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发表于 2024-9-23 19:47:11
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据彭博社援引行业权威分析机构TechInsights的最新报道，面对美国严苛的出口限制及实体清单的严峻挑战，中国存储芯片巨头长江存储展现出了非凡的韧性与创新能力。公司成功实现了关键生产设备的国产替代，利用本土技术资源制造出了高性能的3D NAND闪存芯片，标志着中国在高端存储芯片领域迈出了坚实的一步。
长江存储的这一壮举不仅打破了国外技术封锁的桎梏，更以自研的Xtacking架构引领行业潮流。该架构能够实现高达232层的3D NAND堆叠，与国际顶尖制造商如美光、三星、SK海力士等相媲美，展现出强大的技术竞争力和市场潜力。尽管在国产化初期，长江存储面临着设备适应性和工艺良率等挑战，导致最新批次的3D NAND芯片堆叠层数相比早期版本有所减少。
但公司迅速作出回应，强调层数的变化与设备产量无直接关联，并承诺将持续优化制造工艺、提升设备性能和流程管理，以逐步恢复并提升堆叠层数，确保产品性能达到国际领先水平。
长江存储的快速发展和国产化进程，离不开其深厚的研发实力和前瞻性的战略布局。自2016年成立以来，公司始终秉承创新驱动发展的理念，不断推动芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案的自主创新。通过自主研发与国际合作的有机结合，长江存储已成功推出了多款具有自主知识产权的3D NAND闪存产品，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等多个领域。
尤为值得一提的是，在遭遇美国制裁的两年间，长江存储非但没有被击垮，反而以更加坚定的步伐迈向了国产化替代的道路。公司积极寻求与国内半导体设备供应商的合作，共同攻克技术难关，实现了生产设备的全面国产化。这一壮举不仅为中国存储芯片产业树立了新的标杆，也为全球半导体产业格局的演变带来了深远的影响。
外媒纷纷对长江存储的成就表示高度赞赏和关注。他们认为，长江存储的成功实践证明了美方芯片限制政策的失效与徒劳，反而激发了中国在半导体领域的自主创新和国产替代热情。随着全球半导体产业的不断发展和技术竞争的日益激烈，长江存储等中国企业的崛起将为全球存储芯片市场注入新的活力和动力。
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