武汉新城,这一投资200亿重大项目主体结构封顶! 6月18日,随着晶圆制造厂房最后一斗混凝土完成浇筑,年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构正式封顶。
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
项目总投资预计超过200亿元,占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
该基地于去年9月1日正式动工,近300天完成主体结构封顶。接下来,将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段,预计明年7月量产通线。
项目投产后,可年产36万片碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块,广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域,还将吸引并带动更多化合物半导体产业链上下游企业聚集、交流与协作,加快构建更加完善的碳化硅产业生态。
长飞光纤执行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍,随着全球市场新能源汽车、光伏发电、储能等应用领域的持续渗透,碳化硅功率器件市场正迎来全面爆发阶段。乘着行业发展东风,长飞先进将不断加快基础设施建设步伐,全面提升生产工艺水平,同时联动上下游企业开展技术攻关,共同促进国内碳化硅产业繁荣发展。
来源:中国光谷
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