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去年8月,复旦大学团队在《自然.电子学》发表了重磅文:
他们研发出了一种不依赖先进光刻设备的自对准工艺,并结合超快存储叠层电场设计理论,成功将闪存芯片推进至8nm水平。这一成果不仅打破了硅基闪存物理尺寸15nm的极限,更为国产存储芯片的发展开辟了一条全新的道路。
目前的NAND闪存芯片,无论是三星、SK海力士还是美光,都不再追求更小的工艺尺寸,而是转向多层堆叠的方式来提升存储容量。这是因为当工艺尺寸小于15nm时,闪存的稳定性会变得非常差,无法满足实际应用的需求。然而,复旦大学的研究团队却打破了这一常规认知,他们表示可以在不使用EUV光刻机的情况下,实现8nm的工艺尺寸。
这一成果的取得,无疑是对现有闪存技术的一次重大颠覆。而这种全新的闪存芯片,不仅工艺尺寸上有所突破,更在性能上实现了质的飞跃。它采用了全新的二维半导体结构,使得闪存速度比现有技术快了1000倍,实现了纳秒级的超快存储。同时,这种8nm工艺的闪存芯片还具备20纳秒的超快编程速度、10年的非易失性、十万次的循环寿命以及多态存储性能。这些优势使得它在未来闪存市场中具有巨大的潜力。 |
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