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发表于 2024-4-4 20:56:43
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预计今年6月封顶,明年7月投产
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近日,据“湖北新闻”透露,长飞先进武汉基地项目正加速推进:预计今年6月封顶,明年7月投产,达产后预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块,产能全国第一。
长飞先进半导体在并购重组的一年里,形成了从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力,更是打造了完整的650V-3300V SiC产品矩阵,实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖,同时进一步完善了专业的SiC晶圆代工服务体系。
2023年7月,长飞先进半导体SiC战略项目(KO)A样品达到预期设计目标,标志着长飞先进半导体拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力,成功实现从"Foundry"到“IDM”的业务转型。
在此基础上,长飞先进半导体“武汉·中国光谷”的第二制造基地建设也宣布正式启动。在2023年8月,长飞先进半导体与东湖高新区管委会正式签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。
一个月后,长飞先进半导体武汉基地开工。当时消息,该项目总投资预计200亿元,一期总投资100亿元,可年产36万片SiC MOSFET晶圆,包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成,届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地,产能规模将居行业绝对领先地位。
据悉,长飞先进同时拥有芜湖和武汉两大制造基地,可为客户提供充足的产能保障。
产品及工艺方面,长飞先进拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台,15mohm产品比导通电阻(Ron,sp)已达3.4mΩ·cm2,跻身国际先进水平。除此之外,长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。
2023年12月,长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段,标志着长飞先进已具备碳化硅产品自主研发及量产能力。
此外,在模块封装方向,长飞先进成功开发并具备烧结银工艺能力,同时完成了TOLL、T-PAK、HPD、DCM等多款新封装形式产品的开发。
融资方面,2023年6月,长飞先进正式宣布完成超38亿元A轮股权融资,融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最,并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。
合作方面,2023年10月,长飞先进与奇瑞汽车签署“汽车芯片联合实验室”战略合作协议。未来,双方将致力于车规级芯片及汽车产业的发展,共同解决碳化硅车规级芯片应用难题,加强车规级芯片及其汽车应用的产业生态建设,共同推动我国碳化硅芯片生态、零部件生态、整车生态融合发展。
除此之外,据长飞先进碳化硅产品部总经理胡学清透露,长飞先进目前正在筹建碳化硅功率器件应用实验室,计划与安徽省内新能源产业深化合作,协同发展,合力打造碳化硅产业生态圈。
当时消息,该实验室预计2023年12月底开工建设,建成后将具备面向新型功率控制系统的应用开发、创新及评价能力,可满足新能源汽车、光伏储能、充电桩等全应用场景的测评需求。 |
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