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发表于 2022-6-24 07:22:30
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本帖最后由 摩天圳 于 2022-6-24 09:46 编辑
投资3000亿！建12吋DRAM厂，计划2024年一季度试产
根据芯智讯最新了解到的信息显示，昇维旭预计将投资3000亿人民币建造12吋DRAM厂，将会从28nm制程切入DRAM制造，规划总产能14万片/月，第1期已在建造中，规划明年第3季引进机台设备，2024年第一季度试产。
借助IGZO材料，打造无电容器的DRAM？
作为一家新成立的国产DRAM厂商，目前尚不清楚昇维旭的DRAM技术团队情况，也不清楚其专利技术的来源及布局情况。但是，对于一家新成立的DRAM技术厂商来说，完全从零开始是不太现实的。
目前DRAM技术已经是非常成熟的技术。即便是目前已经取得了成功的国产DRAM厂商——长鑫存储，其能够顺利推出自己的DRAM芯片，也是得益于其通过与奇梦达的合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据收归囊中，这也是长鑫存储最初的技术来源之一。
需要指出的是，奇梦达的DRAM技术主要以沟槽式DRAM技术为主，而当前美光、三星等主流的DRAM大厂都采用的是堆栈式技术。
此前国产DRAM厂商福建晋华走的也是沟槽式DRAM技术路线，其是通过与联电合作，获取了相关DRAM技术与专利。但是，随后就被美光起诉专利侵权诉讼，并招致了美国**的制裁。这也使得国产DRAM厂商不得不加倍小心在技术路线及专利上的布局。
根据“问芯”的报道称，昇维旭或将通过开发基于铟镓锌氧化物 （IGZO）的新型无电容器的DRAM来进行突围。
长期以来，DRAM存储单元由单个晶体管和单个电容器制成，即所谓的 1T1C (1 Transistor -1 Capacitor)设计。这种存储单元在写入时打开晶体管，电荷被推入电容器 (1) 或从电容器 (0) 去除；读取时则会提取并度量电荷。这种传统系统速度快，价格便宜，并且功耗很小，但它的挑战是如何在不增加功耗的情况下，满足人们不断增长的对高容量、高性能、大带宽、低延迟、小存储单元尺寸的需求。
另外，1T1C架构的DRAM在进一步微缩上也会遇到挑战。当DRAM工艺制程已经进入到10nm级别（10-20nm之间），各大存储器厂商纷纷推出1X、1Y、1Z制程产品，并且提出了1α，1β、1γ 等节点技术，之所以每个技术节点的实际制程工艺提升并不大，则是因为传统1T1C架构的DRAM微缩开始变得越来越困难。业界普遍认为，当DRAM芯片工艺到达15nm时，就需要使用EUV光刻机。
比如，三星从第四代10nm级（1a）或14nm级DRAM 开始，就开始引入EUV技术，来解决微缩问题。SK海力士去年也在其M16晶圆厂引入了EUV光刻设备，并量产了1a nm工艺的LPDDR4 EUV DRAM。同样，美光也已宣布将在1γ DRAM的工艺中引入EUV技术。EUV技术的引入，将减少了多重图形制作中的重复步骤，并提高了图案的分辨率，从而提高了性能、产量并缩短了开发时间。但是，这也大幅提升了DRAM厂商的设备采购成本。
而无电容DRAM技术则是由imec首次在2020 IEDM上展示的，这款DRAM包括两个IGZO-TFTs晶体管并且没有存储电容。而且，这种2T0C (2 Transistor -0 Capacitor) DRAM架构还有望克服 |
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发表于 2022-6-18 22:32:17
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