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集微网消息，在近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划：2018 年 1 月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品；2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4；2019 年底实现产能 2 万片/月；2020 年开始规划二厂建设；2021 年完成 17 纳米技术研发。王宁国表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。
长鑫睿力起源于“506项目”。“506项目”起源于2016年5月6日兆易创新朱一明董事长和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略，因而得名。“506”项目包含合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体。项目的目标为自主发展主流DRAM存储器IDM。
中国DRAM存储器的发展离不开“天时地利人和”
王宁国表示，存储器尤其是DRAM存储器是非常难的技术，项目的成功离不开“天时地利人和”，首先在“天时”方面：存储器的应用非常多样化，从最早的台式电脑、个人电脑、智能手机、平板电脑、大数据，再到将来的人工智能应用都离不开存储器，而DRAM更是无所不在。因为这个原因，DRAM的市场蓬勃发展，去年2017年已经达到700亿美元，今年有可能突破1000亿美元，中国在这个市场消耗的量至少占1／2到1／3，也就是将近300亿－500亿美元，但是我们现在自主生产的DRAM芯片为零。
除此之外，由于技术转换比较困难，DRAM提升的速度也逐步放缓，九十年代的时候，存储密度每3年增加4倍，而现在是每4年增加1．5－2倍。技术更新速度的降低，事实上对后进者来说是好事，有机会实现弯道超车，因此技术的推迟对我们是有意义的。
其次在“地利”方面，王宁国表示，合肥是一个非常有趣的地方。一个大规模的芯片制造企业，如果没有完整的产业链（设备、配件、维修、材料、和服务）的话，这个企业是不可能有效的生产低成本、高质量的芯片，因此合肥变成了一个几何的中心。
同时，王宁国呼吁更多的设备、配件和材料公司下决心在合肥落地生根，只要跟合肥的产业合作，那么一定会快速发展，只有在合肥建立起完整的产业链，中国集成电路产业才能壮大起来，否则没有办法成长。
最后在“人和”方面，王宁国表示，睿力集成于20167月13日成立，当时只有1个人，经过21个月630天之后，目前员工已达到1539人，相当于每一天有2．5个人报道，在不到两年的时间里这是一个非常快的成长。
长鑫睿力专注于自主研发，已与北方华创签约
据王宁国介绍，实际上长鑫睿力的研发工作已经有1年半的时间，在元件方面，自主开发了元件模组规格；在设计方面，设计了新的修补线路（E－Fuse），产生自有专利；在光罩方面，自主开发了光学邻近效应修正（OPC）；在制造方面，有450位平均15年DRAM工作经验的工程师做制程最佳化以快速提升良率，并自主开发最有效率的IT系统（大数据分析）；在测试方面，跟几家公司合作自主开发了测试程式（lowcost RDBI wafer flow），帮助他们制造最廉价的测试设备，降低成本。
值得一提的是，长鑫睿力自主开发的光学邻近效应修正（OPC）项目由公司7位资深工程师和12位ASML资深工程师，经过3个月的时间一起工作完成的。
同时，长鑫睿力还自主研发了智能制造系统，能够实现良率、产能和质量的提升，目前有70多位员工服务于该系统。此外，长鑫睿力已经跟中科大签订协议，将与15位中科大学生一起合作，将智能制造系统做的更好。
截止2017年底，长鑫睿力已申请354件专利，2018年计划申请1155件，因此截止2018年底，预计申请专利总数将达1509件。
最后，王宁国透露，长鑫睿力已经与北方华创签约，未来还会与更多的国内设备和材料厂商签约合作。希望用长鑫睿力DRAMIDM平台大力扶持国产半导体设备与材料的研发和产业化进程。
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发表于 2018-4-19 09:57:10
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